Учёный из OIST предложил упростить схему EUV‑литографии, разместив фотомаску, проекционную оптику и кремниевую пластину на одной оси. По расчётам, такая линейная high‑NA система может печатать элементы 2–3 нм и сократить стоимость оборудования в 3–4 раза. Конструкция использует пару вогнутых и выпуклых зеркал, которые взаимно компенсируют искажения. Пока результаты лишь моделирование; требуется создание прототипа.
