IBM объявила о разработке субнанометровой технологии производства чипов с узлом 0,7 нм (7 Å) на основе архитектуры Gate‑All‑Around, которая должна быть готова к массовому выпуску к 2031 году. По оценкам компании, новый процесс обеспечит до 50 % роста производительности и до 70 % повышения энергоэффективности по сравнению с текущими 2‑нм решениями, а также удвоит плотность транзисторов до ≈ 100 млрд на кристалле размером с ноготь. IBM совместно с Rapidus уже внедряет массовое производство 2‑нм чипов и планирует дальнейшее развитие в «трёх измерениях» (NanoStack) для снижения энергопотребления дата‑центров и ИИ‑ускорителей. (≈ 398 симв.)
