Тайваньские учёные в сотрудничестве с инженерами TSMC разработали новый способ изготовления транзисторов на основе одноатомного слоя дисульфида молибдена (MoS₂), который позволяет существенно повысить эффективность управления током и приблизить двумерную электронику к производству микросхем. Проблемой были даже не материалы, а методы их соединения, когда атомы сближаются так тесно, что начинают резко влиять друг на друга. Источник изображения: National Yang Ming Chiao Tung University Одной из главных проблем транзисторов из полупроводника MoS 2 остаётся нанесение на него изолятора затвора. Поверхность условно двумерного кристалла практически не имеет свободных химических связей, поэтому применяемое в полупроводниковой промышленности послойной атомное осаждение (ALD) плохо формирует на ней сплошные сверхтонкие плёнки. Кроме того, использование диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, например HfO 2 , усиливает рассеяние электронов и способно резко снижать их подвижность. Приходится искать компромисс между подвижностью и управляемостью электронов в канале с оглядкой на уровень брака
